Танталовый лист 0,1х180х100 мм ТВЧ в Якутске

Для оценки качества сварных швов танталового листа применяют методы неразрушающего контроля: рентгенографический контроль, ультразвуковая дефектоскопия, капиллярный или магнитопорошковый контроль (для поверхностных дефектов), а также визуальный осмотр. Эти методы позволяют выявить внутренние и поверхностные дефекты.

Танталовый лист марки ТВЧ и ТаВ обладают высокой и сопоставимой коррозионной стойкостью в средах, содержащих йод. Тантал устойчив к воздействию галогенов, за исключением фтора. Различия в коррозии будут минимальными, если среда не содержит дополнительных агрессивных компонентов, к которым ниобий в ТаВ может быть менее стоек.

Танталовый лист марки ТВ-5, содержащий 5% вольфрама, дает преимущества при изготовлении высокоточных деталей благодаря своей повышенной прочности и твердости по сравнению с чистым танталом. Это обеспечивает лучшую стабильность размеров после механической обработки и формовки, минимизируя деформации.

В динамических системах для танталового листа наиболее характерны виды механического износа: абразивный износ (при контакте с твердыми частицами), эрозионный износ (под воздействием потока жидкости или газа с абразивом) и усталостный износ (при циклических нагрузках). Для снижения износа применяются специальные покрытия.

Для концентрированной серной кислоты при температурах до 200°C оптимальны листы марок ТВЧ и ТаВ. ТВЧ проявляет высокую стойкость к окисляющим кислотам, а ТаВ, с добавлением ниобия, может демонстрировать улучшенную устойчивость к некоторым типам серной кислоты, особенно при наличии примесей.

Танталовый лист демонстрирует высокую стойкость в сильноокисляющих кислотах, таких как концентрированная хромовая кислота. В этих условиях на его поверхности формируется прочная пассивная оксидная пленка, которая эффективно защищает металл от дальнейшей коррозии.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.